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脉冲电子束沉积系统 Pioneer 180 PED System
。产品特点* 独立的交钥匙脉冲电子束沉积系统PED* 外延薄膜沉积,多层异质结构(heterostructures)与超晶格* 氧化物薄膜沉积时氧气兼容* 升级选项:离子辅助PED, 连续组份沉积
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NBM microPLD 脉冲激光沉积系统
技术参数:1. 靶:数量6个,大小1-2英寸,被激光照射时可自动旋转,靶的选择可通过步进电机控制。2. 基板:采用适合于氧气环境铂金加热片,大小2英寸,加热温度可达1200摄氏度,温度差
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CrossLab 多厂商仪器服务
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Pioneer 180 PLD System脉冲激光沉积系统
沉积纳米级薄膜。•氧化膜沉积的氧相容性。•升级:离子辅助PLD,组合型PLD,目标衬底负载锁定。•其他沉积源:脉冲电子沉积(PED),射频/直流溅射,直流离子枪。•与XPS /ARPES特高压集群工具
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脉冲激光沉积系统180 Laser MBE/PLD
聚合物薄膜的沉积;在同一室的附加沉积源(可选): 脉冲电子沉积(PED),射频/直流溅射和直流离子源;Load-lockable衬底阶段;与XPS分析系统集成,直接将晶片从PLD系统转移到分析系统
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脉冲激光沉积系统Pioneer 120 PLD System
技术指标1、沉积室8”CF泵口。8”CF衬底加热器端口。8“CF的目标2、旋转端口可编程导电衬底加热器加热器最\高温度:950℃。最\大加热器尺寸:直径2英寸(其他尺寸为定制)。3、抽真空
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脉冲激光沉积系统 Pioneer 180 MAPLE PLD
PLD系统。有机和聚合物薄膜的沉积。在同一室的附加沉积源(可选):脉冲电子沉积(PED)、射频/直流溅射和直流离子源。负载锁定基底阶段。与XPS分析系统集成,晶片就地从PLD系统转移到分析系统
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组合型脉冲激光沉积系统 Combinatorial PLD System
特点独立交钥匙PLD系统PLD-CCS 三元连续组分扩散无退火和掩模在“真正的”沉积条件下(比如800℃,500mTorr)薄膜成长Wafer尺寸:标准型直径2”(4” 和6”需客户定制)外延
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高级脉冲激光沉积系统 Pioneer 120 Advanced PLD System
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CO2低温液化系统 厂商
于各种发泡材料的流水线生产。食品级液态二氧化碳产品应用发展十分迅速,特别是在饮料、冶金、食品、烟草、石油、农业、化工、电子多个等领域的应用.
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